100 mm（4インチ）ウェハーは1975年に登場し、1981年に150 mm（6インチ）ウェハーが生産に入るまでは、業界のスタンダードとして使用されていました。100 mm ウェハーは現在でも多数のアプリケーションに使用されています。4インチウェハーはSOI（シリコン・オン・インシュレーター）ウェハーの開発に使用されています 。また光学およびMEMSアプリケーションの多くにも使用されています。SVMの数百万ドル規模の在庫には、様々なグレードと仕様の100 mmウェハーが揃っています。 以下はサンプルの一部です。ご質問あるいはコメントは弊社までお気軽にご連絡ください。

直径: 100 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: <100> +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 10-30 Ω-cm
厚さ: 500-550 μm
TTV: <10 μm
TIR: <6 μm
正面: 研磨
裏面: エッチング
パーティクル・カウント: <10@0.3
フラット: 2 SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 100 +/-0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: <100> +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-100 Ω-cm
厚さ: 450-550 μm
TTV: <=10 μm
正面: 研磨
裏面: 研磨
フラット: 2 SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 100 +/-0.2 mm
タイプ/ドーパント: N/Phosphorus
方向: <100> +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-100 Ω-cm
厚さ: 500-550 μm
正面: 研磨
裏面: エッチング
フラット: 2 SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 100 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: お客様による指定
方向: お客様による指定
成長方法: Cz
抵抗率: お客様による指定
厚さ: お客様による指定
TTV: お客様による指定
正面: 研磨
裏面: お客様による指定
フラット: 2 SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨