シリコンウェハー・ウェハー加工サービス

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ウェハー
直径
 
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150 mm(6インチ)ウェハーは1981年に登場しました。150 mmウェハーの使用は、200 mmと最近の300 mmウェハーの導入により減少したものの、6インチウェハーには依然として非常に多くの需要があります。 弊社の数百万ドル規模の在庫には、多種にわたる仕様の150 mmウェハーが揃っています。以下は弊社の持つ仕様の一部です。これらの詳細、あるいはお探しの仕様がリストに無い場合はSVMまでお問合せください

直径: 150 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-30 Ω-cm
厚さ: 650-700 μm
TTV: <=10 μm
Bow/Warp: <=40 μm
STIR: <=1 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=30@>=0.2 μm
裏面: エッチング
フラット: 1 SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 150 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: N/Phosphorus
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-30 Ω-cm
厚さ: 650-700 μm
TTV: <=5 μm
Bow/Warp: <=40 μm
STIR: <=1 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=30@>=0.2 μm
裏面: エッチング
フラット: 1 SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 150 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 10-30 Ω-cm
厚さ: 660-690 μm
TTV: <=3 μm
Bow/Warp: <=40 μm
STIR: <=0.2 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=20@>=0.2 μm
裏面: エッチング
フラット: 1 SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 150 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 10-30 Ω-cm
酸素含有量: 27-33 ppma
酸素スタッキングフォルト (OSF): <=100/cm2
炭素含有量: <=1.0 ppma
メタル: <5xE10
厚さ: 660-690 μm
TTV: <=10 μm
Bow/Warp: <=40 μm
STIR: <=4 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=30@>=0.2 μm
裏面: エッチング
フラット: 1 SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨