200 mm（8インチ）ウェハーは1985年に登場し、現在でも業界のスタンダードとされています。200 mmウェハーは世界各地で最も多く製造されている直径です。 このサイズは、携帯電話あるいはフラットスクリーンテレビに使用する、テスト及び較正機器・装置などの様々なアプリケーションに使用されています。 SVMの数百万ドル規模の在庫には、多種の200 mmウェハーが揃っています。以下は弊社の持つ仕様の一部です。詳細あるいはその他の仕様についてはSVMまでお問合せください。

直径: 200 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 10-30 Ω-cm
メタル: <5xE9
厚さ: 700-750 μm
TTV: <=3 μm
GTIR: <=5 μm
Bow/Warp: <=40 μm
サイト・フラットネス (STIR): <=1 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.12 μm
裏面: エッチング
ノッチ: SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 200 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 10-20 Ω-cm
メタル: <5xE10
厚さ: 710-740 μm
TTV: <=6 μm
Bow/Warp: <=40 μm
サイト・フラットネス (STIR): <=2 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.16 μm
裏面: エッチング
ノッチ: SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 200 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-100 Ω-cm
メタル: <5xE10
厚さ: 700-750 μm
TTV: <=4 μm
Bow/Warp: <=40 μm
サイト・フラットネス (STIR): <=0.2 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.16 μm
裏面: エッチング
ノッチ: SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 200 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-50 Ω-cm
厚さ: 700-750 μm
TTV: <=10 μm
Bow/Warp: <=50 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=30@>=0.2 μm
裏面: エッチング
ノッチ: SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 200 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 0.005-0.02 Ω-cm
メタル: <5xE9
厚さ: 700-750 μm
TTV: <=5 μm
GTIR: <= 5 μm
Bow/Warp: <=40 μm
サイト・フラットネス (STIR): <=1 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.16 μm
裏面: エッチング
ノッチ: SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨

直径: 200 +/- 0.2 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
グレード: Epi
抵抗率: お客様による指定
厚さ: 700-750 μm
Epi 層厚: お客様による指定
TTV: <=10 μm
Bow/Warp: <=40 μm
正面: 研磨
裏面: エッチングもしくは酸化バックシール
ノッチ: SEMI スタンダード
エッジ: SEMIスタンダード仕様でラウンドおよび研磨