300 mm（12インチ）ウェハーは1995年に発表されました。ここ数年、弊社の300 mm需要の取扱いは驚異的な高成長を遂げました。大手チップ製造業者のほぼ全てが300 mm ファブの設置を計画あるいは既に設置しており、半導体製造装置業者の多くは12インチウェハー対応の装置の製造に追われています。 300 mmウェハーはすべてが両面研磨で、200 mm ウェハーと同一のノッチを持っています。300 mmウェハーのグレードは多種に富み、SVMはお客様の様々な仕様に対応することができます。 以下は弊社の数百万ドル規模の在庫に揃っている仕様の一部です。詳細はSVMまでお問合せください。

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-30 Ω-cm
ラジアル抵抗率グラジエント (RRG): <=10%
酸素濃度: <=30 ppma
炭素濃度: <= 1 ppma
表面メタル: <=1xE10
厚さ: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
GBIR: <=5 μm
STIR: <0.25 μm
Bow/Warp: <= 40 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.09 μm
裏面: 研磨

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-30 Ω-cm
ラジアル抵抗率グラジエント (RRG): <=10%
酸素濃度: <=30 ppma
炭素濃度: <= 1 ppma
表面メタル: <=1xE10
厚さ: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
GBIR: <=5 μm
STIR: <0.25 μm
Bow/Warp: <= 40 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.12 μm
裏面: 研磨
ノッチ: SEMI スタンダード

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-30 Ω-cm
厚さ: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.16 μm
裏面: 研磨
ノッチ: SEMI スタンダード

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-100 Ω-cm
厚さ: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
サイト・フラットネス (STIR): <= 0.13 μm
Bow/Warp: <=40 μm 正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=30@>=0.2 μm
裏面: 研磨
ノッチ: SEMI スタンダード

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-100 Ω-cm
厚さ: 750-800 μm
正面: 研磨
裏面: 研磨
ノッチ: SEMI スタンダード

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 1-100 Ω-cm
厚さ: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=100@>=0.2 μm
裏面: 研磨
ノッチ: SEMI スタンダード

P+

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 0.005-0.02 Ω-cm
厚さ: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.12 μm
裏面: 研磨
ノッチ: SEMI スタンダード

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 0.005-0.02 Ω-cm
厚さ: 750-800 μm
TTV: <=2 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=50@>=0.16 μm
裏面: 研磨
ノッチ: SEMI スタンダード

直径: 300 +/- 0.5 mm
タイプ/ドーパント: P/Boron
方向: {100} +/- 1
成長方法: Cz
抵抗率: 0.005-0.02 Ω-cm
厚さ: 750-800 μm
正面: 研磨
パーティクル・カウント: <=200@>=0.2 μm
裏面: 研磨
ノッチ: SEMI スタンダード